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부품 번호 PHB152NQ03LTA,118
제조사 NXP USA Inc.
기술 MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 5313 pcs
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부품 번호 PHB152NQ03LTA,118 제조사 NXP USA Inc.
기술 MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5313 pcs 데이터 시트 PHB,PHP152NQ03LTA
범주 이산 반도체 제품 전압 - 테스트 3140pF @ 25V
전압 - 파괴 D2PAK 아이디 @ VGS (일) (최대) 4 mOhm @ 25A, 10V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 연속 TrenchMOS™
RoHS 상태 Tape & Reel (TR) 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 75A (Tc)
편광 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 다른 이름들 568-2186-2
934058425118
PHB152NQ03LTA /T3
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 부품 번호 PHB152NQ03LTA,118
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 36nC @ 5V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 2V @ 1mA
FET 특징 N-Channel 확장 설명 N-Channel 25V 75A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
소스 전압에 드레인 (Vdss) - 기술 MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25V 용량 비율 150W (Tc)

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