PDTC114YS,126
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| 부품 번호 | PDTC114YS,126 |
|---|---|
| 제조사 | NXP Semiconductors / Freescale |
| 기술 | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | PDTC114YS,126 | 제조사 | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5617 pcs | 데이터 시트 | PDTC114Y Series |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 100mV @ 250µA, 5mA | 트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-92-3 | 연속 | - |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 47 kOhms | 저항기 -베이스 (R1) | 10 kOhms |
| 전력 - 최대 | 500mW | 포장 | Tape & Box (TB) |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 다른 이름들 | 934057566126 PDTC114YS AMO PDTC114YS AMO-ND |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 100 @ 5mA, 5V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 1µA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA | 기본 부품 번호 | PDTC114 |
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