PDTB123TS,126
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| 부품 번호 | PDTB123TS,126 |
|---|---|
| 제조사 | NXP Semiconductors / Freescale |
| 기술 | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | PDTB123TS,126 | 제조사 | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5397 pcs | 데이터 시트 | PDTB123T Series |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 2.5mA, 50mA | 트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-92-3 | 연속 | - |
| 저항기 -베이스 (R1) | 2.2 kOhms | 전력 - 최대 | 500mW |
| 포장 | Tape & Box (TB) | 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 다른 이름들 | 934059727126 PDTB123TS AMO PDTB123TS AMO-ND |
실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 100 @ 50mA, 5V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 500mA |
| 기본 부품 번호 | PDTB123 |
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