BUK652R3-40C,127
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| 부품 번호 | BUK652R3-40C,127 |
|---|---|
| 제조사 | NXP Semiconductors / Freescale |
| 기술 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | BUK652R3-40C,127 | 제조사 | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 6030 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.8V @ 1mA |
| Vgs (최대) | ±16V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | 연속 | TrenchMOS™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.3 mOhm @ 25A, 10V | 전력 소비 (최대) | 306W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 다른 이름들 | 568-7492-5 934064467127 BUK652R3-40C,127-ND BUK652R340C127 |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 15100pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 260nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40V | 상세 설명 | N-Channel 40V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) |
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- 부품#:
SIT8208AI-82-25S-24.576000Y - 제조업체:
SiTime - 기술:
-40 TO 85C, 7050, 25PPM, 2.5V, 2 - 재고:
66904