JANTXV2N7334
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| 부품 번호 | JANTXV2N7334 |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 기술 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | JANTXV2N7334 | 제조사 | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5770 pcs | 데이터 시트 | 2N7334 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 테스트 | - |
| 전압 - 파괴 | MO-036AB | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
| 연속 | Military, MIL-PRF-19500/597 | RoHS 상태 | Bulk |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1A | 전력 - 최대 | 1.4W |
| 편광 | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | 다른 이름들 | JANTXV2N7334-MIL |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | JANTXV2N7334 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 60nC @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4V @ 250µA |
| FET 특징 | 4 N-Channel | 확장 설명 | Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | Standard | 기술 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100V |
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