JANTXV2N6766
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| 부품 번호 | JANTXV2N6766 |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi |
| 기술 | MOSFET N-CH |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | JANTXV2N6766 | 제조사 | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5488 pcs | 데이터 시트 | 2N6764,66,68,70 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3 | 연속 | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 90 mOhm @ 30A, 10V | 전력 소비 (최대) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| 포장 | Bulk | 패키지 / 케이스 | TO-204AE |
| 다른 이름들 | JANTXV2N6766-MIL | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200V |
| 상세 설명 | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
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