JAN2N6796
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| 부품 번호 | JAN2N6796 |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi |
| 기술 | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | JAN2N6796 | 제조사 | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4821 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-39 | 연속 | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 195 mOhm @ 8A, 10V | 전력 소비 (최대) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| 포장 | Bulk | 패키지 / 케이스 | TO-205AF Metal Can |
| 다른 이름들 | JAN2N6796-MIL | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 28.51nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
| 상세 설명 | N-Channel 100V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Tc) |
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