JAN2N3960
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| 부품 번호 | JAN2N3960 |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi |
| 기술 | TRANS NPN 12V TO-18 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | JAN2N3960 | 제조사 | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS NPN 12V TO-18 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5035 pcs | 데이터 시트 | 2N3960 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 12V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 3mA, 30mA | 트랜지스터 유형 | NPN |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-18 (TO-206AA) | 연속 | Military, MIL-PRF-19500/399 |
| 전력 - 최대 | 400mW | 포장 | Bulk |
| 패키지 / 케이스 | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | 다른 이름들 | 1086-20938 1086-20938-MIL |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 주파수 - 전환 | - | 상세 설명 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 400mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 60 @ 10mA, 1V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 10µA (ICBO) |
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