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JAN2N3636L

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부품 번호 JAN2N3636L
제조사 Microsemi
기술 TRANS PNP 175V 1A
무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
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부품 번호 JAN2N3636L 제조사 Microsemi
기술 TRANS PNP 175V 1A 무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량 4383 pcs 데이터 시트 2N3634-37(L,UB)
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 175V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 600mV @ 5mA, 50mA 트랜지스터 유형 PNP
제조업체 장치 패키지 TO-5 연속 Military, MIL-PRF-19500/357
전력 - 최대 1W 포장 Bulk
패키지 / 케이스 TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 다른 이름들 1086-20883
1086-20883-MIL
작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
주파수 - 전환 - 상세 설명 Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-5
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 50 @ 50mA, 10V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 10µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 1A

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