JAN1N649-1
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| 부품 번호 | JAN1N649-1 |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 기술 | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | JAN1N649-1 | 제조사 | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4148 pcs | 데이터 시트 | 1N649-1 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Standard |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 400mA | 전압 - 파괴 | DO-35 |
| 연속 | Military, MIL-PRF-19500/240 | RoHS 상태 | Bulk |
| 역 회복 시간 (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 만약, F @ 저항 | - |
| 편광 | DO-204AH, DO-35, Axial | 다른 이름들 | 1086-15995 1086-15995-MIL |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호 | JAN1N649-1 | 확장 설명 | Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35 |
| 다이오드 구성 | 50nA @ 600V | 기술 | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1V @ 400mA | 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 600V |
| VR, F @ 용량 | -65°C ~ 175°C |
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