JAN1N5816
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| 부품 번호 | JAN1N5816 |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 기술 | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | JAN1N5816 | 제조사 | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5705 pcs | 데이터 시트 | 1N5812(R), 14(R), 169(R) |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Standard |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 20A | 전압 - 파괴 | DO-203AA (DO-4) |
| 연속 | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | RoHS 상태 | Bulk |
| 역 회복 시간 (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | 만약, F @ 저항 | 300pF @ 10V, 1MHz |
| 편광 | DO-203AA, DO-4, Stud | 다른 이름들 | 1086-15839 1086-15839-MIL |
| 작동 온도 - 정션 | 35ns | 실장 형 | Chassis, Stud Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | JAN1N5816 |
| 확장 설명 | Diode Standard 150V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) | 다이오드 구성 | 10µA @ 150V |
| 기술 | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 950mV @ 20A |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 150V | VR, F @ 용량 | -65°C ~ 175°C |
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