APTM60H23FT1G
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| 부품 번호 | APTM60H23FT1G |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi |
| 기술 | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $13.111 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | APTM60H23FT1G | 제조사 | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 2411 pcs | 데이터 시트 | Power Products CatalogAPTM60H23UT1G |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 1mA |
| 제조업체 장치 패키지 | SP1 | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 276 mOhm @ 17A, 10V | 전력 - 최대 | 208W |
| 포장 | Bulk | 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 다른 이름들 | APTM60H23UT1G APTM60H23UT1G-ND |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 32 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5316pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) | FET 특징 | Standard |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V | 상세 설명 | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A |
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