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APTM50DHM38G

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부품 번호 APTM50DHM38G
제조사 Microsemi
기술 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 860 pcs
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부품 번호 APTM50DHM38G 제조사 Microsemi
기술 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 860 pcs 데이터 시트 Power Products CatalogAPTM50DHM38G
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 5mA
제조업체 장치 패키지 SP6 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 45 mOhm @ 45A, 10V 전력 - 최대 694W
포장 Bulk 패키지 / 케이스 SP6
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Chassis Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 32 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11200pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 246nC @ 10V FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징 Standard 소스 전압에 드레인 (Vdss) 500V
상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 90A 694W Chassis Mount SP6 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A

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