APTM100DA18CT1G
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| 부품 번호 | APTM100DA18CT1G |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi |
| 기술 | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | APTM100DA18CT1G | 제조사 | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4163 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | SP1 | 연속 | POWER MOS 8™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 216 mOhm @ 33A, 10V | 전력 소비 (최대) | 657W (Tc) |
| 포장 | Bulk | 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Chassis Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14800pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 570nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1000V |
| 상세 설명 | N-Channel 1000V 40A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A (Tc) |
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