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APTGT50DH60T1G

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부품 번호 APTGT50DH60T1G
제조사 Microsemi
기술 MOD IGBT 600V 80A SP1
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 2780 pcs
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부품 번호 APTGT50DH60T1G 제조사 Microsemi
기술 MOD IGBT 600V 80A SP1 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 2780 pcs 데이터 시트 APTGT50DH60T1G
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 1.9V @ 15V, 50A 제조업체 장치 패키지 SP1
연속 - 전력 - 최대 176W
패키지 / 케이스 SP1 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC 써미스터 Yes 실장 형 Chassis Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 32 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가 3.15nF @ 25V
입력 Standard IGBT 유형 Trench Field Stop
상세 설명 IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 250µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 80A 구성 Asymmetrical Bridge

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