2N6849U
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| 부품 번호 | 2N6849U |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi |
| 기술 | MOSFET P-CH 100V 18-LCC |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | 2N6849U | 제조사 | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 100V 18-LCC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4390 pcs | 데이터 시트 | 2N6849U |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 18-ULCC (9.14x7.49) | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 300 mOhm @ 4.1A, 10V | 전력 소비 (최대) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| 포장 | Bulk | 패키지 / 케이스 | 18-CLCC |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 34.8nC @ 10V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V | 상세 설명 | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.5A (Tc) |
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