1N6625E3

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| 부품 번호 | 1N6625E3 |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 기술 | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.937 | $7.342 | $6.747 | |||
| 100 pcs | 250 pcs | 500 pcs | |||
| $6.271 | $5.755 | $5.477 | |||
- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | 1N6625E3 | 제조사 | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 6580 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Standard |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1A | 전압 - 파괴 | A, Axial |
| 연속 | - | RoHS 상태 | Bulk |
| 역 회복 시간 (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | 만약, F @ 저항 | - |
| 편광 | A, Axial | 작동 온도 - 정션 | 80ns |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호 | 1N6625E3 | 확장 설명 | Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial |
| 다이오드 구성 | 1µA @ 1000V | 기술 | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1.95V @ 1.5A | 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 1100V (1.1kV) |
| VR, F @ 용량 | -65°C ~ 150°C |
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