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> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > 1N6625E3

1N6625E3

1N6625E3
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부품 번호 1N6625E3
제조사 Microsemi Corporation
기술 DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 6580 pcs
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부품 번호 1N6625E3 제조사 Microsemi Corporation
기술 DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 6580 pcs 데이터 시트
범주 이산 반도체 제품 전압 - 피크 역 (최대) Standard
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 1A 전압 - 파괴 A, Axial
연속 - RoHS 상태 Bulk
역 회복 시간 (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) 만약, F @ 저항 -
편광 A, Axial 작동 온도 - 정션 80ns
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호 1N6625E3 확장 설명 Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
다이오드 구성 1µA @ 1000V 기술 DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
전류 - 누설 Vr에서 역방향 1.95V @ 1.5A 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) 1100V (1.1kV)
VR, F @ 용량 -65°C ~ 150°C

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