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1N5619US

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부품 번호 1N5619US
제조사 Microsemi
기술 DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
In Stock 12840 pcs
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부품 번호 1N5619US 제조사 Microsemi
기술 DIODE GEN PURP 600V 1A D5A 무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량 12840 pcs 데이터 시트 1N5615US thru 1N5623US
범주 이산 반도체 제품 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 1.6V @ 3A
전압 - 역방향 (Vr) (최대) 600V 제조업체 장치 패키지 D-5A
속도 Fast Recovery = 200mA (Io) 연속 -
역 회복 시간 (trr) 250ns 포장 Bulk
패키지 / 케이스 SQ-MELF, A 작동 온도 - 정션 -65°C ~ 175°C
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 7 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
다이오드 유형 Standard 상세 설명 Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
전류 - 누설 Vr에서 역방향 500nA @ 600V 전류 - 평균 정류 (Io) 1A
VR, F @ 용량 25pF @ 12V, 1MHz

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