MT47H512M4THN-3:E TR
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| 부품 번호 | MT47H512M4THN-3:E TR |
|---|---|
| 제조사 | Micron Technology |
| 기술 | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $22.333 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | MT47H512M4THN-3:E TR | 제조사 | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 1428 pcs | 데이터 시트 | MT47H512M4,256M8 |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 15ns |
| 전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.9 V | 과학 기술 | SDRAM - DDR2 |
| 제조업체 장치 패키지 | 63-FBGA (9x11.5) | 연속 | - |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 63-FBGA |
| 다른 이름들 | MT47H512M4THN-3:E TR-ND MT47H512M4THN-3:ETR |
작동 온도 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형 | Volatile | 메모리 크기 | 2Gb (512M x 4) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | DRAM |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 상세 설명 | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 333MHz 450ps 63-FBGA (9x11.5) |
| 클럭 주파수 | 333MHz | 기본 부품 번호 | MT47H512M4 |
| 액세스 시간 | 450ps |
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