DS1230AB-200IND
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| 부품 번호 | DS1230AB-200IND |
|---|---|
| 제조사 | Maxim Integrated |
| 기술 | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | DS1230AB-200IND | 제조사 | Maxim Integrated |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4314 pcs | 데이터 시트 | DS1230Y, AB |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 200ns |
| 전압 - 공급 | 4.75 V ~ 5.25 V | 과학 기술 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 제조업체 장치 패키지 | 28-EDIP | 연속 | - |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 크기 | 256Kb (32K x 8) | 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 메모리 형식 | NVSRAM | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 상세 설명 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 200ns 28-EDIP | 기본 부품 번호 | DS1230AB |
| 액세스 시간 | 200ns |
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