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SI4410DYPBF

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부품 번호 SI4410DYPBF
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 115806 pcs
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부품 번호 SI4410DYPBF 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 115806 pcs 데이터 시트 SI4410DYPbF
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 8-SO 연속 HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 13.5 mOhm @ 10A, 10V 전력 소비 (최대) 2.5W (Ta)
포장 Tube 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들 62-0231PBF
62-0231PBF-ND
SP001563080
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1585pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 45nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V 상세 설명 N-Channel 30V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Ta)

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