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IRLML6401GTRPBF

IRLML6401GTRPBF
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부품 번호 IRLML6401GTRPBF
제조사 Infineon Technologies
기술 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 553841 pcs
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부품 번호 IRLML6401GTRPBF 제조사 Infineon Technologies
기술 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 553841 pcs 데이터 시트 IRLML6401GPbF
범주 이산 반도체 제품 전압 - 테스트 830pF @ 10V
전압 - 파괴 Micro3™/SOT-23 아이디 @ VGS (일) (최대) 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (최대) 1.8V, 4.5V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
연속 HEXFET® RoHS 상태 Tape & Reel (TR)
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 4.3A (Ta) 편광 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들 IRLML6401GTRPBF-ND
IRLML6401GTRPBFTR
SP001568584
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 13 Weeks 제조업체 부품 번호 IRLML6401GTRPBF
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15nC @ 5V IGBT 유형 ±8V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 950mV @ 250µA FET 특징 P-Channel
확장 설명 P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 소스 전압에 드레인 (Vdss) -
기술 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12V
용량 비율 1.3W (Ta)

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