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부품 번호 IRL8113STRRPBF
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 100322 pcs
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부품 번호 IRL8113STRRPBF 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 100322 pcs 데이터 시트 IRL8113(S,L)PbF
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.25V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 D2PAK 연속 HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 6 mOhm @ 21A, 10V 전력 소비 (최대) 110W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2840pF @ 15V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 4.5V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 N-Channel 30V 105A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 105A (Tc)

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