IRFH7932TR2PBF

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부품 번호	IRFH7932TR2PBF
제조사	International Rectifier (Infineon Technologies)
기술	MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 4709 pcs
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데이터 시트

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부품 번호	IRFH7932TR2PBF	제조사	International Rectifier (Infineon Technologies)
기술	MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	4709 pcs	데이터 시트	IRFH7932PBF
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	2.35V @ 100µA
Vgs (최대)	±20V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	PQFN (5x6) Single Die	연속	HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	3.3 mOhm @ 25A, 10V	전력 소비 (최대)	3.4W (Ta)
포장	Cut Tape (CT)	패키지 / 케이스	8-PowerVDFN
다른 이름들	IRFH7932TR2PBFCT	작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant	입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	4270pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	51nC @ 4.5V	FET 유형	N-Channel
FET 특징	-	드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	30V	상세 설명	N-Channel 30V 24A (Ta), 104A (Tc) 3.4W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	24A (Ta), 104A (Tc)

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