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IRF7807VD1TRPBF

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부품 번호 IRF7807VD1TRPBF
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 IRF7807VD1TRPBF 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4176 pcs 데이터 시트 IRF7807VD1PbF
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 8-SO 연속 FETKY™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 25 mOhm @ 7A, 4.5V 전력 소비 (최대) 2.5W (Ta)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들 *IRF7807VD1TRPBF
IRF7807VD1PBFCT		 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 4.5V
FET 유형 N-Channel FET 특징 Schottky Diode (Isolated)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.3A (Ta)

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