IRF6668TR1
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| 부품 번호 | IRF6668TR1 |
|---|---|
| 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| 기술 | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | IRF6668TR1 | 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4712 pcs | 데이터 시트 | IRF6668 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.9V @ 100µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | DIRECTFET™ MZ | 연속 | HEXFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 15 mOhm @ 12A, 10V | 전력 소비 (최대) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | DirectFET™ Isometric MZ |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1320pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80V |
| 상세 설명 | N-Channel 80V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 55A (Tc) |
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