IRF6618TR1

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부품 번호	IRF6618TR1
제조사	International Rectifier (Infineon Technologies)
기술	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
무연 여부 / RoHS 준수 여부	납 함유 / RoHS 비 준수

~~In Stock~~ 5605 pcs
참조 가격 (US 달러)	Get a quote

제품 매개 변수
데이터 시트

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부품 번호	IRF6618TR1	제조사	International Rectifier (Infineon Technologies)
기술	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET	무연 여부 / RoHS 준수 여부	납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량	5605 pcs	데이터 시트	IRF6618/TR1
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	2.35V @ 250µA
Vgs (최대)	±20V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	DIRECTFET™ MT	연속	HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	2.2 mOhm @ 30A, 10V	전력 소비 (최대)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
포장	Tape & Reel (TR)	패키지 / 케이스	DirectFET™ Isometric MT
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)	실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	3 (168 Hours)	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	5640pF @ 15V	게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	65nC @ 4.5V
FET 유형	N-Channel	FET 특징	-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V	소스 전압에 드레인 (Vdss)	30V
상세 설명	N-Channel 30V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT	전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	30A (Ta), 170A (Tc)

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