IRF6609TRPBF

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부품 번호	IRF6609TRPBF
제조사	International Rectifier (Infineon Technologies)
기술	MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 5577 pcs
참조 가격 (US 달러)	Get a quote

제품 매개 변수
데이터 시트

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부품 번호	IRF6609TRPBF	제조사	International Rectifier (Infineon Technologies)
기술	MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	5577 pcs	데이터 시트	IRF6609(TR)PbF
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	2.45V @ 250µA
Vgs (최대)	±20V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	DIRECTFET™ MT	연속	HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	2 mOhm @ 31A, 10V	전력 소비 (최대)	1.8W (Ta), 89W (Tc)
포장	Tape & Reel (TR)	패키지 / 케이스	DirectFET™ Isometric MT
다른 이름들	IRF6609TRPBFTR SP001527932	작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant	입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	6290pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	69nC @ 4.5V	FET 유형	N-Channel
FET 특징	-	드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	20V	상세 설명	N-Channel 20V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	31A (Ta), 150A (Tc)

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