IPU60R1K4C6BKMA1
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| 부품 번호 | IPU60R1K4C6BKMA1 |
|---|---|
| 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| 기술 | MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 해당 사항 없음 / 해당 사항 없음 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | IPU60R1K4C6BKMA1 | 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 해당 사항 없음 / 해당 사항 없음 |
| 사용 가능한 수량 | 4348 pcs | 데이터 시트 | IPU60R1K4C6 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 90µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | PG-TO251-3 | 연속 | CoolMOS™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V | 전력 소비 (최대) | 28.4W (Tc) |
| 포장 | Bulk | 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Not applicable / Not applicable | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 200pF @ 100V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.4nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | Super Junction | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V | 상세 설명 | N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.2A (Tc) |
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