IPS12CN10LGBKMA1

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부품 번호	IPS12CN10LGBKMA1
제조사	International Rectifier (Infineon Technologies)
기술	MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 4033 pcs
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제품 매개 변수
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부품 번호	IPS12CN10LGBKMA1	제조사	International Rectifier (Infineon Technologies)
기술	MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	4033 pcs	데이터 시트	IPP,IPS12CN10L G
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	2.4V @ 83µA
Vgs (최대)	±20V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	PG-TO251-3	연속	OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	11.8 mOhm @ 69A, 10V	전력 소비 (최대)	125W (Tc)
포장	Tube	패키지 / 케이스	TO-251-3 Stub Leads, IPak
다른 이름들	IPS12CN10L G IPS12CN10L G-ND SP000311530	작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형	Through Hole	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant	입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	5600pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	58nC @ 10V	FET 유형	N-Channel
FET 특징	-	드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	100V	상세 설명	N-Channel 100V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	69A (Tc)

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