IPI100N08N3GHKSA1
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| 부품 번호 | IPI100N08N3GHKSA1 |
|---|---|
| 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| 기술 | MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | IPI100N08N3GHKSA1 | 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4013 pcs | 데이터 시트 | IPx097,100N08N3 G |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 46µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | PG-TO262-3 | 연속 | OptiMOS™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10 mOhm @ 46A, 10V | 전력 소비 (최대) | 100W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 다른 이름들 | IPI100N08N3 G IPI100N08N3 G-ND SP000474192 SP000680710 |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2410pF @ 40V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 35nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80V | 상세 설명 | N-Channel 80V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 70A (Tc) |
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