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부품 번호 IPI037N08N3GHKSA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 5847 pcs
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부품 번호 IPI037N08N3GHKSA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5847 pcs 데이터 시트 IPx035N08N3 G
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 155µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PG-TO262-3 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 3.75 mOhm @ 100A, 10V 전력 소비 (최대) 214W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
다른 이름들 IPI037N08N3 G
IPI037N08N3 G-ND
SP000454278
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8110pF @ 40V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 117nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 80V 상세 설명 N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc)

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