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IPB80N06S4L05ATMA1

IPB80N06S4L05ATMA1
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부품 번호 IPB80N06S4L05ATMA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 97466 pcs
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부품 번호 IPB80N06S4L05ATMA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 97466 pcs 데이터 시트 IPx80N06S4L-05
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.2V @ 60µA
Vgs (최대) ±16V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PG-TO263-3-2 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 4.8 mOhm @ 80A, 10V 전력 소비 (최대) 107W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들 IPB80N06S4L-05
IPB80N06S4L-05-ND
IPB80N06S4L05ATMA1TR
SP000415570		 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8180pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 110nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V 상세 설명 N-Channel 60V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80A (Tc)

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