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부품 번호 IPB072N15N3GE8187ATMA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 5584 pcs
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부품 번호 IPB072N15N3GE8187ATMA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5584 pcs 데이터 시트 IPx0(72,75)N15N3 G
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 270µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PG-TO263-3-2 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 7.2 mOhm @ 100A, 10V 전력 소비 (최대) 300W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들 IPB072N15N3 G E8187
IPB072N15N3 G E8187-ND
IPB072N15N3 G E8187TR-ND
IPB072N15N3GE8187ATMA1TR
SP000938816		 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5470pF @ 75V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 93nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 8V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 150V 상세 설명 N-Channel 150V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc)

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International Rectifier (Infineon Technologies) IPB072N15N3GE8187ATMA1. IPB072N15N3GE8187ATMA1 배포자 IPB072N15N3GE8187ATMA1 공급 업체 IPB072N15N3GE8187ATMA1 가격 IPB072N15N3GE8187ATMA1 다운로드 데이터 시트 IPB072N15N3GE8187ATMA1 데이터 시트 IPB072N15N3GE8187ATMA1 Stock.IPB072N15N3GE8187ATMA1을 구입하십시오 International Rectifier (Infineon Technologies) IPB072N15N3GE8187ATMA1. International Rectifier IPB072N15N3GE8187ATMA1. Infineon Technologies IPB072N15N3GE8187ATMA1. International Rectifier (Infineon Technologies) IPB072N15N3GE8187ATMA1. IR (Infineon Technologies) IPB072N15N3GE8187ATMA1.