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부품 번호 IPB042N10N3GE8187ATMA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 57993 pcs
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부품 번호 IPB042N10N3GE8187ATMA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 57993 pcs 데이터 시트 IPx0(42,45)N10N3 G
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 150µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 D²PAK (TO-263AB) 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 4.2 mOhm @ 50A, 10V 전력 소비 (최대) 214W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들 IPB042N10N3 G E8187
IPB042N10N3 G E8187-ND
IPB042N10N3 G E8187TR-ND
IPB042N10N3GE8187ATMA1TR
SP000939332		 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8410pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 117nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V 상세 설명 N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc)

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International Rectifier (Infineon Technologies) IPB042N10N3GE8187ATMA1. IPB042N10N3GE8187ATMA1 배포자 IPB042N10N3GE8187ATMA1 공급 업체 IPB042N10N3GE8187ATMA1 가격 IPB042N10N3GE8187ATMA1 다운로드 데이터 시트 IPB042N10N3GE8187ATMA1 데이터 시트 IPB042N10N3GE8187ATMA1 Stock.IPB042N10N3GE8187ATMA1을 구입하십시오 International Rectifier (Infineon Technologies) IPB042N10N3GE8187ATMA1. International Rectifier IPB042N10N3GE8187ATMA1. Infineon Technologies IPB042N10N3GE8187ATMA1. International Rectifier (Infineon Technologies) IPB042N10N3GE8187ATMA1. IR (Infineon Technologies) IPB042N10N3GE8187ATMA1.