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부품 번호 IPB025N10N3GE8187ATMA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 26538 pcs
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부품 번호 IPB025N10N3GE8187ATMA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 26538 pcs 데이터 시트 IPB025N10N3 G
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 275µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PG-TO263-7 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.5 mOhm @ 100A, 10V 전력 소비 (최대) 300W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
다른 이름들 IPB025N10N3 G E8187
IPB025N10N3 G E8187-ND
IPB025N10N3GE8187ATMA1TR
SP000939338		 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14800pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 206nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V 상세 설명 N-Channel 100V 180A 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180A

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