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IPA180N10N3GXKSA1

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부품 번호 IPA180N10N3GXKSA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 82862 pcs
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부품 번호 IPA180N10N3GXKSA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 82862 pcs 데이터 시트 IPA180N10N3 G
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 35µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PG-TO220FP 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 18 mOhm @ 28A, 10V 전력 소비 (최대) 30W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
다른 이름들 IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108		 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1800pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V 상세 설명 N-Channel 100V 28A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220FP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Tc)

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