IDH10G65C5ZXKSA1

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| 부품 번호 | IDH10G65C5ZXKSA1 |
|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 기술 | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | IDH10G65C5ZXKSA1 | 제조사 | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5909 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 10A (DC) | 전압 - 파괴 | PG-TO220-2 |
| 연속 | thinQ!™ | 역 회복 시간 (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 만약, F @ 저항 | 300pF @ 1V, 1MHz | 편광 | TO-220-2 |
| 다른 이름들 | SP001128936 | 작동 온도 - 정션 | 0ns |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호 | IDH10G65C5ZXKSA1 | 확장 설명 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
| 다이오드 구성 | 180µA @ 650V | 기술 | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1.7V @ 10A | 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 650V |
| VR, F @ 용량 | -55°C ~ 175°C |
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