DF23MR12W1M1B11BOMA1
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| 부품 번호 | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| 기술 | MOSFET MODULE 1200V 25A |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 24 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $36.237 | $34.368 | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | DF23MR12W1M1B11BOMA1 | 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET MODULE 1200V 25A | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 873 pcs | 데이터 시트 | DF23MR12W1M1_B11 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5.5V @ 10mA |
| 제조업체 장치 패키지 | Module | 연속 | CoolSiC™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 45 mOhm @ 25A, 15V | 전력 - 최대 | 20mW |
| 패키지 / 케이스 | Module | 다른 이름들 | SP001602244 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Chassis Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | Not Applicable | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2000pF @ 800V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 620nC @ 15V |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) | FET 특징 | Silicon Carbide (SiC) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 25A 20mW Chassis Mount Module |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A |
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