DF11MR12W1M1B11BOMA1
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| 부품 번호 | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| 기술 | MOSFET MODULE 1200V 50A |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 24 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $48.594 | $46.296 | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | DF11MR12W1M1B11BOMA1 | 제조사 | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET MODULE 1200V 50A | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 822 pcs | 데이터 시트 | DF11MR12W1M1_B11 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5.5V @ 20mA |
| 제조업체 장치 패키지 | Module | 연속 | CoolSiC™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 23 mOhm @ 50A, 15V | 전력 - 최대 | 20mW |
| 패키지 / 케이스 | Module | 다른 이름들 | SP001602238 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Chassis Mount |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 125nC @ 5V | FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 특징 | Silicon Carbide (SiC) | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A |
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