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BSS670S2LH6327XTSA1

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부품 번호 BSS670S2LH6327XTSA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 728950 pcs
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부품 번호 BSS670S2LH6327XTSA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 728950 pcs 데이터 시트 BSS670S2L
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2V @ 2.7µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 SOT-23-3 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 650 mOhm @ 270mA, 10V 전력 소비 (최대) 360mW (Ta)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들 BSS670S2L H6327
BSS670S2L H6327-ND
BSS670S2L H6327TR-ND
BSS670S2LH6327
BSS670S2LH6327XTSA1TR
SP000928950
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 75pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 2.26nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 55V 상세 설명 N-Channel 55V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 540mA (Ta)

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  • 기술:TRANS PNP 100V 0.1A SOT23
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