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BSC017N04NSGATMA1

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부품 번호 BSC017N04NSGATMA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 70039 pcs
참조 가격
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부품 번호 BSC017N04NSGATMA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 70039 pcs 데이터 시트 BSC017N04NS G
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 85µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PG-TDSON-8 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.7 mOhm @ 50A, 10V 전력 소비 (최대) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
다른 이름들 BSC017N04NS GCT
BSC017N04NS GCT-ND
BSC017N04NSGATMA1CT		 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8800pF @ 20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 108nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 40V 상세 설명 N-Channel 40V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A (Ta), 100A (Tc)

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