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부품 번호 BSB044N08NN3GXUMA1
제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 59873 pcs
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부품 번호 BSB044N08NN3GXUMA1 제조사 International Rectifier (Infineon Technologies)
기술 MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 59873 pcs 데이터 시트 BSB044N08NN3 G
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 97µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 MG-WDSON-2, CanPAK M™ 연속 OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 4.4 mOhm @ 30A, 10V 전력 소비 (최대) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 3-WDSON
다른 이름들 BSB044N08NN3 GCT
BSB044N08NN3 GCT-ND
BSB044N08NN3GXUMA1CT
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5700pF @ 40V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 73nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 80V 상세 설명 N-Channel 80V 18A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18A (Ta), 90A (Tc)

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