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MMIX1G320N60B3

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부품 번호 MMIX1G320N60B3
제조사 IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH
무연 여부 / RoHS 준수 여부
In Stock 2206 pcs
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부품 번호 MMIX1G320N60B3 제조사 IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH 무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 수량 2206 pcs 데이터 시트 MMIX1G320N60B3
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 1.5V @ 15V, 100A 시험 조건 480V, 100A, 1 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 44ns/250ns 에너지 전환 2.7mJ (on), 5mJ (off)
제조업체 장치 패키지 24-SMPD 연속 GenX3™
역 회복 시간 (trr) 66ns 전력 - 최대 1000W
패키지 / 케이스 24-PowerSMD, 21 Leads 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 제조업체 표준 리드 타임 26 Weeks
입력 유형 Standard IGBT 유형 PT
게이트 충전 585nC 상세 설명 IGBT PT 600V 400A 1000W Surface Mount 24-SMPD
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 1000A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 400A

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