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IXYT20N120C3D1HV

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부품 번호 IXYT20N120C3D1HV
제조사 IXYS Corporation
기술 IGBT
무연 여부 / RoHS 준수 여부
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부품 번호 IXYT20N120C3D1HV 제조사 IXYS Corporation
기술 IGBT 무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 수량 9449 pcs 데이터 시트 IXYT20N120C3D1HV
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 3.4V @ 15V, 20A 시험 조건 600V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 20ns/90ns 에너지 전환 1.3mJ (on), 1mJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-268HV 연속 XPT™, GenX3™
역 회복 시간 (trr) 29ns 전력 - 최대 230W
패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 제조업체 표준 리드 타임 24 Weeks
입력 유형 Standard IGBT 유형 -
게이트 충전 53nC 상세 설명 IGBT 1200V 36A 230W Surface Mount TO-268HV
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 88A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 36A

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