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IXXP12N65B4D1

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부품 번호 IXXP12N65B4D1
제조사 IXYS Corporation
기술 IGBT
무연 여부 / RoHS 준수 여부
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부품 번호 IXXP12N65B4D1 제조사 IXYS Corporation
기술 IGBT 무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 수량 43299 pcs 데이터 시트 IXXP12N65B4D1
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 650V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 1.95V @ 15V, 12A 시험 조건 400V, 12A, 20 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 13ns/158ns 에너지 전환 440µJ (on), 220µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-220 연속 XPT™, GenX4™
역 회복 시간 (trr) 43ns 전력 - 최대 160W
패키지 / 케이스 TO-220-3 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole 제조업체 표준 리드 타임 24 Weeks
입력 유형 Standard IGBT 유형 -
게이트 충전 34nC 상세 설명 IGBT 650V 38A 160W Through Hole TO-220
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 70A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 38A

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