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IXXH30N65C4D1

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부품 번호 IXXH30N65C4D1
제조사 IXYS Corporation
기술 IGBT
무연 여부 / RoHS 준수 여부
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부품 번호 IXXH30N65C4D1 제조사 IXYS Corporation
기술 IGBT 무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 수량 19446 pcs 데이터 시트 IXXH30N65C4D1
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 650V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2.5V @ 15V, 30A 시험 조건 400V, 30A, 15 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 20ns/140ns 에너지 전환 1.1mJ (on), 400µJ (off)
제조업체 장치 패키지 TO-247AD 연속 XPT™, GenX4™
역 회복 시간 (trr) 72ns 전력 - 최대 230W
패키지 / 케이스 TO-247-3 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole 제조업체 표준 리드 타임 24 Weeks
입력 유형 Standard IGBT 유형 -
게이트 충전 47nC 상세 설명 IGBT 650V 62A 230W Through Hole TO-247AD
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) 136A 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 62A

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  • 부품#:IXXH50N60B3
  • 제조업체:IXYS
  • 기술:IGBT 600V 120A 600W TO247
  • 재고:11588
$2.585/pcs문의
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