IXTP01N100D
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| 부품 번호 | IXTP01N100D |
|---|---|
| 제조사 | IXYS Corporation |
| 기술 | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.852 | $1.489 | $1.356 | $1.098 | $0.926 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | IXTP01N100D | 제조사 | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 42102 pcs | 데이터 시트 | IXT(P,U,Y)01N100D |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | - |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 110 Ohm @ 50mA, 0V | 전력 소비 (최대) | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 다른 이름들 | 607074 Q1614635 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 120pF @ 25V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | Depletion Mode | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1000V | 상세 설명 | N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA (Tc) |
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