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IXTA3N60P

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부품 번호 IXTA3N60P
제조사 IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 54285 pcs
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부품 번호 IXTA3N60P 제조사 IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 54285 pcs 데이터 시트 IXT(A,P,Y) 3N60P
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5.5V @ 50µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-263 (IXTA) 연속 PolarHV™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.9 Ohm @ 500mA, 10V 전력 소비 (최대) 70W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 411pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 9.8nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V
상세 설명 N-Channel 600V 3A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Tc)

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