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IXFN38N100P

IXFN38N100P
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부품 번호 IXFN38N100P
제조사 IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 3432 pcs
참조 가격
(US 달러)
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$13.663$12.638$11.613$10.794$9.906

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부품 번호 IXFN38N100P 제조사 IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 3432 pcs 데이터 시트 IXFN38N100P
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 6.5V @ 1mA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 SOT-227B 연속 HiPerFET™, PolarP2™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 210 mOhm @ 19A, 10V 전력 소비 (최대) 1000W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 SOT-227-4, miniBLOC
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Chassis Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 24 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 24000pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 350nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 1000V 상세 설명 N-Channel 1000V 38A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 38A (Tc)

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  • 부품#:IXFN32N80P
  • 제조업체:IXYS
  • 기술:MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
  • 재고:4308
$7.234/pcs문의
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